半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
3期
390-394
,共5页
李建丰%孙硕%欧谷平%张福甲
李建豐%孫碩%歐穀平%張福甲
리건봉%손석%구곡평%장복갑
原子力显微镜%X射线光电子能谱%Liq/ITO%表面和界面电子态%有机发光器件
原子力顯微鏡%X射線光電子能譜%Liq/ITO%錶麵和界麵電子態%有機髮光器件
원자력현미경%X사선광전자능보%Liq/ITO%표면화계면전자태%유궤발광기건
采用真空蒸发沉积的方法,在覆盖有ITO膜的玻璃基片上沉积一层Liq.利用原子力显微镜(AFM)对制备的Liq/ITO样品表面进行扫描,发现Liq粉末表现为岛状形态,其表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,有许多针孔.用X射线光电子能谱(XPS)研究了Liq/ITO紧密接触的表面和界面电子状态.对样品In3d和Sn3d的电子状态分析也证实了ITO表面沉积Liq膜存在裂缝和针孔,这些裂缝和针孔吸附了空气中大量的气体分子;对C1s谱的分析发现,ITO膜表面存在一定的C污染;对N1s谱分析可知,界面处N原子与O、In和Sn原子有相互作用,这将会影响Liq的发光颜色.
採用真空蒸髮沉積的方法,在覆蓋有ITO膜的玻璃基片上沉積一層Liq.利用原子力顯微鏡(AFM)對製備的Liq/ITO樣品錶麵進行掃描,髮現Liq粉末錶現為島狀形態,其錶麵極不平整,存在大量裂縫和空隙,有許多針孔.用X射線光電子能譜(XPS)研究瞭Liq/ITO緊密接觸的錶麵和界麵電子狀態.對樣品In3d和Sn3d的電子狀態分析也證實瞭ITO錶麵沉積Liq膜存在裂縫和針孔,這些裂縫和針孔吸附瞭空氣中大量的氣體分子;對C1s譜的分析髮現,ITO膜錶麵存在一定的C汙染;對N1s譜分析可知,界麵處N原子與O、In和Sn原子有相互作用,這將會影響Liq的髮光顏色.
채용진공증발침적적방법,재복개유ITO막적파리기편상침적일층Liq.이용원자력현미경(AFM)대제비적Liq/ITO양품표면진행소묘,발현Liq분말표현위도상형태,기표면겁불평정,존재대량렬봉화공극,유허다침공.용X사선광전자능보(XPS)연구료Liq/ITO긴밀접촉적표면화계면전자상태.대양품In3d화Sn3d적전자상태분석야증실료ITO표면침적Liq막존재렬봉화침공,저사렬봉화침공흡부료공기중대량적기체분자;대C1s보적분석발현,ITO막표면존재일정적C오염;대N1s보분석가지,계면처N원자여O、In화Sn원자유상호작용,저장회영향Liq적발광안색.
