微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
6期
353-356
,共4页
安振峰%刘浩%陈宏泰%张世祖
安振峰%劉浩%陳宏泰%張世祖
안진봉%류호%진굉태%장세조
半导体激光器%单模%发散角%模式扩展%键合
半導體激光器%單模%髮散角%模式擴展%鍵閤
반도체격광기%단모%발산각%모식확전%건합
传统激光器由于封装键合工艺的要求,需要较大的芯片电极面积,限制了器件尺寸进一步小型化.量子尺寸的衍射效应使量子阱半导体激光器的垂直结平面发散角较大,不利于光束整形,限制了半导体激光器的直接应用.为解决这些问题,采用加入模式扩展层的光波导结构,将垂直发散角由40°减小到22°左右;采用p与n电极同面的脊波导结构,可将激光器同载体直接烧结,无需键合工艺,减小了电极面积,进而缩小了芯片尺寸.25℃,60 mA注入电流下进行测试,阈值电流Ith≤10 mA,输出功率P约为55 mW.
傳統激光器由于封裝鍵閤工藝的要求,需要較大的芯片電極麵積,限製瞭器件呎吋進一步小型化.量子呎吋的衍射效應使量子阱半導體激光器的垂直結平麵髮散角較大,不利于光束整形,限製瞭半導體激光器的直接應用.為解決這些問題,採用加入模式擴展層的光波導結構,將垂直髮散角由40°減小到22°左右;採用p與n電極同麵的脊波導結構,可將激光器同載體直接燒結,無需鍵閤工藝,減小瞭電極麵積,進而縮小瞭芯片呎吋.25℃,60 mA註入電流下進行測試,閾值電流Ith≤10 mA,輸齣功率P約為55 mW.
전통격광기유우봉장건합공예적요구,수요교대적심편전겁면적,한제료기건척촌진일보소형화.양자척촌적연사효응사양자정반도체격광기적수직결평면발산각교대,불리우광속정형,한제료반도체격광기적직접응용.위해결저사문제,채용가입모식확전층적광파도결구,장수직발산각유40°감소도22°좌우;채용p여n전겁동면적척파도결구,가장격광기동재체직접소결,무수건합공예,감소료전겁면적,진이축소료심편척촌.25℃,60 mA주입전류하진행측시,역치전류Ith≤10 mA,수출공솔P약위55 mW.
