电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
12期
13-16
,共4页
曹家强%吴传贵%彭强祥%罗文博%张万里%唐治军
曹傢彊%吳傳貴%彭彊祥%囉文博%張萬裏%唐治軍
조가강%오전귀%팽강상%라문박%장만리%당치군
红外探测仪%PZT厚膜%微桥结构%探测率
紅外探測儀%PZT厚膜%微橋結構%探測率
홍외탐측의%PZT후막%미교결구%탐측솔
利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构.使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数.结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5× 102V/W;在调制频率为167.3 Hz时,其探测率达7.5×108cm ·Hz1/2/W; PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms,与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级,有利于其在高频响应方面的应用.
利用KOH溶液腐蝕結閤SF6氣體榦法刻蝕工藝製備瞭鋯鈦痠鉛(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜熱釋電紅外探測器,得到瞭器件Si基揹麵完全懸空的微橋絕熱結構.使用由斬波器調製的黑體輻射,測試瞭探測器在低頻段的電壓響應率、譟聲等效功率和探測率等參數.結果錶明,探測器在調製頻率為5.3 Hz時的電壓響應率約為4.5× 102V/W;在調製頻率為167.3 Hz時,其探測率達7.5×108cm ·Hz1/2/W; PZT厚膜探測器的熱時間常數為51 ms,與PZT陶瓷器件相比小約一箇數量級,有利于其在高頻響應方麵的應用.
이용KOH용액부식결합SF6기체간법각식공예제비료고태산연(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)후막열석전홍외탐측기,득도료기건Si기배면완전현공적미교절열결구.사용유참파기조제적흑체복사,측시료탐측기재저빈단적전압향응솔、조성등효공솔화탐측솔등삼수.결과표명,탐측기재조제빈솔위5.3 Hz시적전압향응솔약위4.5× 102V/W;재조제빈솔위167.3 Hz시,기탐측솔체7.5×108cm ·Hz1/2/W; PZT후막탐측기적열시간상수위51 ms,여PZT도자기건상비소약일개수량급,유리우기재고빈향응방면적응용.
