光谱实验室
光譜實驗室
광보실험실
CHINESE JOURNAL OF SPECTROSCOPY LABORATORY
2012年
1期
537-540
,共4页
微晶硅薄膜%射频功率%傅里叶变换红外透射谱
微晶硅薄膜%射頻功率%傅裏葉變換紅外透射譜
미정규박막%사빈공솔%부리협변환홍외투사보
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在硅衬底上以不同的射频功率生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜,利用傅里叶变换红外透射光谱技术对薄膜进行测试.通过对红外透射光谱的高斯拟合分析,结果表明薄膜中的氢含量和硅氢键合模式跟射频功率密切相关；当射频率从30W增加到110W时,薄膜中的氢含量先减少后慢慢增加,而结构因子逐渐增加后再减小,并且硅氢键合模式由以SiH为主转变为以SiH2为主.并讨论了这些参量随射频功率变化的机理.
採用射頻等離子體增彊化學氣相沉積(RF-PECVD)技術,在硅襯底上以不同的射頻功率生長微晶硅(μc-Si:H)薄膜,利用傅裏葉變換紅外透射光譜技術對薄膜進行測試.通過對紅外透射光譜的高斯擬閤分析,結果錶明薄膜中的氫含量和硅氫鍵閤模式跟射頻功率密切相關；噹射頻率從30W增加到110W時,薄膜中的氫含量先減少後慢慢增加,而結構因子逐漸增加後再減小,併且硅氫鍵閤模式由以SiH為主轉變為以SiH2為主.併討論瞭這些參量隨射頻功率變化的機理.
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