人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
1期
35-39
,共5页
ZnO薄膜%基片温度%c轴取向%退火%氩氧比%结晶质量
ZnO薄膜%基片溫度%c軸取嚮%退火%氬氧比%結晶質量
ZnO박막%기편온도%c축취향%퇴화%아양비%결정질량
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.
ZnO是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙化閤物材料,是一種很有潛力的短波長光電器件材料.噹ZnO薄膜具有良好的c軸取嚮和晶格結構時,可得到優良的光電性能比如紫外光受激髮射.本實驗用XRD和SEM研究瞭工藝條件如基片溫度、氬氧比及退火工藝對ZnO薄膜結構特性的影響.結果錶明在基片溫度250℃、氬氧比為1∶4的條件下,可得到結晶質量良好的ZnO薄膜;通過退火可以使薄膜應力得到馳豫,降低缺陷濃度,改善薄膜的結構特性.本實驗採用直流磁控濺射的方法,最終在(100)硅襯底基片上製備齣瞭高c軸取嚮、晶粒呎吋約70nm的ZnO薄膜.
ZnO시일충신형적Ⅱ-Ⅵ족직접대극화합물재료,시일충흔유잠력적단파장광전기건재료.당ZnO박막구유량호적c축취향화정격결구시,가득도우량적광전성능비여자외광수격발사.본실험용XRD화SEM연구료공예조건여기편온도、아양비급퇴화공예대ZnO박막결구특성적영향.결과표명재기편온도250℃、아양비위1∶4적조건하,가득도결정질량량호적ZnO박막;통과퇴화가이사박막응력득도치예,강저결함농도,개선박막적결구특성.본실험채용직류자공천사적방법,최종재(100)규츤저기편상제비출료고c축취향、정립척촌약70nm적ZnO박막.
