吉林大学学报（理学版）
吉林大學學報（理學版）
길림대학학보（이학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2006年
4期
637-640
,共4页
周银行%马玉刚%刘少林%孙亮%赵广义%马纯辉
週銀行%馬玉剛%劉少林%孫亮%趙廣義%馬純輝
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Monte Carlo方法%X射线%封装材料%剂量增强系数
Monte Carlo方法%X射線%封裝材料%劑量增彊繫數
Monte Carlo방법%X사선%봉장재료%제량증강계수
用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.
用Monte Carlo方法計算瞭雙層封裝結構Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si對不同能量X射線在Si中的劑量增彊繫數, 併進行比較. 結果確定瞭半導體器件Si中的劑量增彊靈敏區大小, 併且得到瞭這四種封裝結構在Si中靈敏區不同位置處的劑量增彊繫數及引起劑量增彊的X射線能量範圍.
용Monte Carlo방법계산료쌍층봉장결구Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si화Au/Kovar-Si대불동능량X사선재Si중적제량증강계수, 병진행비교. 결과학정료반도체기건Si중적제량증강령민구대소, 병차득도료저사충봉장결구재Si중령민구불동위치처적제량증강계수급인기제량증강적X사선능량범위.
