半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
1期
79-82
,共4页
白云霞%郭春生%冯士维%孟海杰%吕长志%李志国
白雲霞%郭春生%馮士維%孟海傑%呂長誌%李誌國
백운하%곽춘생%풍사유%맹해걸%려장지%리지국
垂直双扩散场金属氧化物半导体%失效激活能%失效机理%Arrhenius模型%最好线性无偏差估计法
垂直雙擴散場金屬氧化物半導體%失效激活能%失效機理%Arrhenius模型%最好線性無偏差估計法
수직쌍확산장금속양화물반도체%실효격활능%실효궤리%Arrhenius모형%최호선성무편차고계법
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理.
基于Arrhenius模型,對功率器件垂直導電雙擴散(VDMOS)場效應晶體管的可靠性進行瞭評價,併對其主要失效機理進行瞭分析.通過樣管在不同結溫下的恆定溫度應力加速壽命實驗,利用Arrhenius方程和最好線性無偏差估計法(BLUE)對結果進行數據處理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推導齣功率VDMOS在室溫下工作的壽命特徵值為3.67×106 h.失效分析髮現,柵極纍積失效是影響功率VDMOS漏源電流,IDs退化的主要失效機理.
기우Arrhenius모형,대공솔기건수직도전쌍확산(VDMOS)장효응정체관적가고성진행료평개,병대기주요실효궤리진행료분석.통과양관재불동결온하적항정온도응력가속수명실험,이용Arrhenius방정화최호선성무편차고계법(BLUE)대결과진행수거처리,득도기실효격활능E=0.54 eV,재편치VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,추도출공솔VDMOS재실온하공작적수명특정치위3.67×106 h.실효분석발현,책겁루적실효시영향공솔VDMOS루원전류,IDs퇴화적주요실효궤리.
