固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
347-351,372
,共6页
毫米波%宽带%大动态放大器%单片集成电路
毫米波%寬帶%大動態放大器%單片集成電路
호미파%관대%대동태방대기%단편집성전로
利用0.25 μm GaAs PHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器.第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5 V工作,测得在26～40 GHz范围内,增益G=10±0.5 dB,噪声系数NF≤2.2 dB,1分贝压缩点输出功率P1dBe≥15 dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6 V,静态电流0.6 A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9 A),在28～35 GHz范围内.测得增益G=14～17 dB,噪声系数约4.0 dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5 dBm,最大饱和输出功率≥26.8 dBm,附加效率约10%～13.6%.结果中还给出了2种放大器直接级联的情况.
利用0.25 μm GaAs PHEMT低譟聲工藝,設計併製造瞭2種毫米波大動態寬帶單片低譟聲放大器.第1種為低增益大動態低譟聲放大器,單電源+5 V工作,測得在26～40 GHz範圍內,增益G=10±0.5 dB,譟聲繫數NF≤2.2 dB,1分貝壓縮點輸齣功率P1dBe≥15 dBm;第2種為低壓大動態低譟聲放大器,工作電壓為3.6 V,靜態電流0.6 A(輸齣功率飽和時,動態直流電流約為0.9 A),在28～35 GHz範圍內.測得增益G=14～17 dB,譟聲繫數約4.0 dB,1分貝壓縮點輸齣功率P1dB≥24.5 dBm,最大飽和輸齣功率≥26.8 dBm,附加效率約10%～13.6%.結果中還給齣瞭2種放大器直接級聯的情況.
이용0.25 μm GaAs PHEMT저조성공예,설계병제조료2충호미파대동태관대단편저조성방대기.제1충위저증익대동태저조성방대기,단전원+5 V공작,측득재26～40 GHz범위내,증익G=10±0.5 dB,조성계수NF≤2.2 dB,1분패압축점수출공솔P1dBe≥15 dBm;제2충위저압대동태저조성방대기,공작전압위3.6 V,정태전류0.6 A(수출공솔포화시,동태직류전류약위0.9 A),재28～35 GHz범위내.측득증익G=14～17 dB,조성계수약4.0 dB,1분패압축점수출공솔P1dB≥24.5 dBm,최대포화수출공솔≥26.8 dBm,부가효솔약10%～13.6%.결과중환급출료2충방대기직접급련적정황.
