化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2000年
3期
273-276
,共4页
黄忠平%俞庆森%潘锦红%宗汉兴%林瑞森
黃忠平%俞慶森%潘錦紅%宗漢興%林瑞森
황충평%유경삼%반금홍%종한흥%림서삼
电荷传输材料%空穴注入效率%AM1方法%光敏性
電荷傳輸材料%空穴註入效率%AM1方法%光敏性
전하전수재료%공혈주입효솔%AM1방법%광민성
应用AM1方法全优化了 11种电荷传输材料的稳定构型.根据Law提出空穴注入轨道模型,研究了光敏性E5o与电荷传输材料和电荷传输材料的HOMO能级差ΔET-G的关系.计算结果表明,lgE5o与ΔET-G存在线性关系.采用成键能较低构型的HOMO能级得到的相关性(r=0.837)优于成键能较高构型的HOMO能级得到的相关性(r=0.728).增加空穴传输活性氮原子的净电荷后,相关性被进一步提高(r=0.911).这表职分层光感受器的光敏性与光电转换的后两个过程都相关,其中从电荷产生层(CGL)到(CTL)电荷传输层的空穴注入效率占主导作用,空穴在CTL中的迁移率也至关重要.
應用AM1方法全優化瞭 11種電荷傳輸材料的穩定構型.根據Law提齣空穴註入軌道模型,研究瞭光敏性E5o與電荷傳輸材料和電荷傳輸材料的HOMO能級差ΔET-G的關繫.計算結果錶明,lgE5o與ΔET-G存在線性關繫.採用成鍵能較低構型的HOMO能級得到的相關性(r=0.837)優于成鍵能較高構型的HOMO能級得到的相關性(r=0.728).增加空穴傳輸活性氮原子的淨電荷後,相關性被進一步提高(r=0.911).這錶職分層光感受器的光敏性與光電轉換的後兩箇過程都相關,其中從電荷產生層(CGL)到(CTL)電荷傳輸層的空穴註入效率佔主導作用,空穴在CTL中的遷移率也至關重要.
응용AM1방법전우화료 11충전하전수재료적은정구형.근거Law제출공혈주입궤도모형,연구료광민성E5o여전하전수재료화전하전수재료적HOMO능급차ΔET-G적관계.계산결과표명,lgE5o여ΔET-G존재선성관계.채용성건능교저구형적HOMO능급득도적상관성(r=0.837)우우성건능교고구형적HOMO능급득도적상관성(r=0.728).증가공혈전수활성담원자적정전하후,상관성피진일보제고(r=0.911).저표직분층광감수기적광민성여광전전환적후량개과정도상관,기중종전하산생층(CGL)도(CTL)전하전수층적공혈주입효솔점주도작용,공혈재CTL중적천이솔야지관중요.
