功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
3期
247-252
,共6页
杜金会%于振瑞%王如%张加友%王旭艳%李正群
杜金會%于振瑞%王如%張加友%王旭豔%李正群
두금회%우진서%왕여%장가우%왕욱염%리정군
CoSnS2薄膜%两步电沉积法%三元共沉积法%结构特性%光学特性
CoSnS2薄膜%兩步電沉積法%三元共沉積法%結構特性%光學特性
CoSnS2박막%량보전침적법%삼원공침적법%결구특성%광학특성
采用两种方法制备了 CoSnS2薄膜.在两步电沉积法中,先沉积 SnS薄膜,再在其上制备CoS沉积薄膜,最后进行退火处理形成厚度约为 1250nm的 CoSnS2薄膜.在三元共沉积法中,加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠 )配合剂来调整 Sn、 Co、 S的沉积电势以实现这三种元素的共沉积,从而一步形成厚约 620nm的 CoSnS2薄膜.探讨了薄膜的制备机理和制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响.得到的薄膜为多晶γ-Co6S5(立方晶系)和 SnS(斜方晶系)结构,其直接光学带隙和间接光学带隙分别在 1.05～1.25eV和 0.11～0.71eV之间可调.
採用兩種方法製備瞭 CoSnS2薄膜.在兩步電沉積法中,先沉積 SnS薄膜,再在其上製備CoS沉積薄膜,最後進行退火處理形成厚度約為 1250nm的 CoSnS2薄膜.在三元共沉積法中,加入EDTA(乙二胺四乙痠二鈉 )配閤劑來調整 Sn、 Co、 S的沉積電勢以實現這三種元素的共沉積,從而一步形成厚約 620nm的 CoSnS2薄膜.探討瞭薄膜的製備機理和製備條件對薄膜結構特性和光學特性的影響.得到的薄膜為多晶γ-Co6S5(立方晶繫)和 SnS(斜方晶繫)結構,其直接光學帶隙和間接光學帶隙分彆在 1.05～1.25eV和 0.11～0.71eV之間可調.
채용량충방법제비료 CoSnS2박막.재량보전침적법중,선침적 SnS박막,재재기상제비CoS침적박막,최후진행퇴화처리형성후도약위 1250nm적 CoSnS2박막.재삼원공침적법중,가입EDTA(을이알사을산이납 )배합제래조정 Sn、 Co、 S적침적전세이실현저삼충원소적공침적,종이일보형성후약 620nm적 CoSnS2박막.탐토료박막적제비궤리화제비조건대박막결구특성화광학특성적영향.득도적박막위다정γ-Co6S5(립방정계)화 SnS(사방정계)결구,기직접광학대극화간접광학대극분별재 1.05～1.25eV화 0.11～0.71eV지간가조.
