半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
1期
5-8
,共4页
于奇%王颖%熊平%孙杰%梅丁蕾%杨谟华
于奇%王穎%熊平%孫傑%梅丁蕾%楊謨華
우기%왕영%웅평%손걸%매정뢰%양모화
BCCD%解析模型%模拟仿真%电荷容量%转移效率
BCCD%解析模型%模擬倣真%電荷容量%轉移效率
BCCD%해석모형%모의방진%전하용량%전이효솔
基于半导体图像传感器CCD的物理图像和相应的基本特性微分方程组,经过离散和线性化处理,并引用解三对角矩阵方程的递归算法,实现了其解析模型求解.据此及其相关的编程软件,对电注入埋沟CCD器件进行了仿真测试.结果表明,随着栅长减小、栅间隙长度增加和沟道深度减小,传输栅电荷容量约从6.5×106下降到6.1×106电子电荷,转移效率从96%增高到99%.同时,暗电流只与少子寿命密切相关,转移效率对栅间隙长度在1 μm以内的变化不敏感.该理论模拟结果有助于BCCD模型参数提取和设计研究.
基于半導體圖像傳感器CCD的物理圖像和相應的基本特性微分方程組,經過離散和線性化處理,併引用解三對角矩陣方程的遞歸算法,實現瞭其解析模型求解.據此及其相關的編程軟件,對電註入埋溝CCD器件進行瞭倣真測試.結果錶明,隨著柵長減小、柵間隙長度增加和溝道深度減小,傳輸柵電荷容量約從6.5×106下降到6.1×106電子電荷,轉移效率從96%增高到99%.同時,暗電流隻與少子壽命密切相關,轉移效率對柵間隙長度在1 μm以內的變化不敏感.該理論模擬結果有助于BCCD模型參數提取和設計研究.
기우반도체도상전감기CCD적물리도상화상응적기본특성미분방정조,경과리산화선성화처리,병인용해삼대각구진방정적체귀산법,실현료기해석모형구해.거차급기상관적편정연건,대전주입매구CCD기건진행료방진측시.결과표명,수착책장감소、책간극장도증가화구도심도감소,전수책전하용량약종6.5×106하강도6.1×106전자전하,전이효솔종96%증고도99%.동시,암전류지여소자수명밀절상관,전이효솔대책간극장도재1 μm이내적변화불민감.해이론모의결과유조우BCCD모형삼수제취화설계연구.
