液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2005年
5期
422-429
,共8页
莫春兰%方文卿%王立%刘和初%周毛兴%江风益
莫春蘭%方文卿%王立%劉和初%週毛興%江風益
막춘란%방문경%왕립%류화초%주모흥%강풍익
发光二极管%GaN%Si衬底
髮光二極管%GaN%Si襯底
발광이겁관%GaN%Si츤저
与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.
與藍寶石襯底相比,硅襯底具有低成本、大麵積、高質量、導電導熱性能好等優點,普遍認為使用Si片作GaN薄膜襯底有可能實現光電子和微電子的集成,因此Si基GaN的研究受到瞭廣汎關註.本文迴顧瞭Si襯底GaN基LED的研究進展, 同時簡要介紹瞭在Si襯底上製備GaN基LED的實驗結果,及研製齣工作電壓為3.6 V、串聯電阻為31 Ω、輸齣功率近1 mW的Si襯底GaN基藍光LED.
여람보석츤저상비,규츤저구유저성본、대면적、고질량、도전도열성능호등우점,보편인위사용Si편작GaN박막츤저유가능실현광전자화미전자적집성,인차Si기GaN적연구수도료엄범관주.본문회고료Si츤저GaN기LED적연구진전, 동시간요개소료재Si츤저상제비GaN기LED적실험결과,급연제출공작전압위3.6 V、천련전조위31 Ω、수출공솔근1 mW적Si츤저GaN기람광LED.
