分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究
분자속외연생장적(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs양자정광치발광보연구
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 6期 2950-2954 ,共5页

    徐晓华%牛智川%倪海桥%徐应强%张纬%贺正宏%韩勤%吴荣汉%江德生

    서효화%우지천%예해교%서응강%장위%하정굉%한근%오영한%강덕생

    分子束外延%量子阱%二型发光 分子束外延%量子阱%二型髮光
    분자속외연%양자정%이형발광
    报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
    보도료(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs양자정결구적분자속외연생장여광치발광보연구결과.변온여변격발공솔광치발광보적연구표명료차결구위이형양자정발광성질.토론료광보쌍봉결구적약천궤제.통과우화생장조건,획득료실온1.31μm발광.
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