固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
63-65,99
,共4页
王亮%费元春%张斌%杨乃彬
王亮%費元春%張斌%楊迺彬
왕량%비원춘%장빈%양내빈
毫米波集成电路%朗格耦合器%单平衡结构%仿真
毫米波集成電路%朗格耦閤器%單平衡結構%倣真
호미파집성전로%랑격우합기%단평형결구%방진
结合0.25 μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产.经测量,当射频频率为34.1 GHz,本振频率为32 GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于8 dB,噪声系数小于11.5 dB,最终给出芯片照片及尺寸:2665 μm×1770 μm×100 μm.
結閤0.25 μm PHEMT工藝線提供的模型,採用Agilent ADS軟件設計瞭Ka波段單平衡混頻器,併且在南京電子器件研究所的GaAs工藝線進行瞭流片生產.經測量,噹射頻頻率為34.1 GHz,本振頻率為32 GHz時,射頻和本振耑口的駐波比皆小于2,變頻損耗小于8 dB,譟聲繫數小于11.5 dB,最終給齣芯片照片及呎吋:2665 μm×1770 μm×100 μm.
결합0.25 μm PHEMT공예선제공적모형,채용Agilent ADS연건설계료Ka파단단평형혼빈기,병차재남경전자기건연구소적GaAs공예선진행료류편생산.경측량,당사빈빈솔위34.1 GHz,본진빈솔위32 GHz시,사빈화본진단구적주파비개소우2,변빈손모소우8 dB,조성계수소우11.5 dB,최종급출심편조편급척촌:2665 μm×1770 μm×100 μm.
