半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
765-769
,共5页
刘成%曹春芳%劳燕锋%曹萌%吴惠桢
劉成%曹春芳%勞燕鋒%曹萌%吳惠楨
류성%조춘방%로연봉%조맹%오혜정
电致发光器件结构%电流限制孔径%离子注入
電緻髮光器件結構%電流限製孔徑%離子註入
전치발광기건결구%전류한제공경%리자주입
采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注人剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
採用離子註入方法和後續的退火工藝製作瞭1.3μm麵髮射電緻髮光(EL)器件結構的電流限製孔徑,通過對此結構的電學和光學特性進行測試分析,穫得瞭離子註入和退火溫度的優化參數,工藝參數為離子註人劑量5×1014cm-2和450℃退火1min.結果顯示隨著電流限製孔徑的縮小,器件的電阻呈線性增大;電流限製孔徑的形成顯著增彊1.3μm麵髮射器件結構的電緻髮光彊度,孔徑為15μm的樣品是沒有限製孔徑樣品的4倍(註入電流3mA),併就電流限製孔對EL器件結構電緻髮光的影響進行瞭物理解釋.
채용리자주입방법화후속적퇴화공예제작료1.3μm면발사전치발광(EL)기건결구적전류한제공경,통과대차결구적전학화광학특성진행측시분석,획득료리자주입화퇴화온도적우화삼수,공예삼수위리자주인제량5×1014cm-2화450℃퇴화1min.결과현시수착전류한제공경적축소,기건적전조정선성증대;전류한제공경적형성현저증강1.3μm면발사기건결구적전치발광강도,공경위15μm적양품시몰유한제공경양품적4배(주입전류3mA),병취전류한제공대EL기건결구전치발광적영향진행료물리해석.
