照明工程学报
照明工程學報
조명공정학보
CHINA ILLUMINATING ENGINEERING JOURNAL
2009年
2期
30-34
,共5页
毛德丰%郭伟玲%高国%沈光地
毛德豐%郭偉玲%高國%瀋光地
모덕봉%곽위령%고국%침광지
光电子%热阻%正向电压法%功率发光二极管
光電子%熱阻%正嚮電壓法%功率髮光二極管
광전자%열조%정향전압법%공솔발광이겁관
随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数.因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在.本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高.并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大.随着LED两端所加电流的增大,3 W白光LED的热阻呈上升趋势,而1 W白光LED的热阻随电流增加基本不变.
隨著LED功率的升高,熱應力對LED的影響越來越顯著,過高的結溫不但會使器件壽命急劇衰減,還會嚴重影響LED的峰值波長,光功率,光通量等諸多性能參數.因此精確掌握LED器件的溫升規律便成為瞭提高設備工作可靠性和芯片結構設計的關鍵所在.本文通過標準電學法對不同顏色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的結溫和熱阻進行瞭測量,實驗結果錶明:同種結構LED的溫度繫數K雖然離散但比較接近,不同結構LED芯片K明顯不同;在相同襯底材料,相同芯片結構條件下,LED芯片結溫會隨芯片功率的增大而升高.併首次進行瞭變電流下不同功率LED芯片的結溫和熱阻測量,髮現無論功率大小,結溫均隨熱電流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大.隨著LED兩耑所加電流的增大,3 W白光LED的熱阻呈上升趨勢,而1 W白光LED的熱阻隨電流增加基本不變.
수착LED공솔적승고,열응력대LED적영향월래월현저,과고적결온불단회사기건수명급극쇠감,환회엄중영향LED적봉치파장,광공솔,광통량등제다성능삼수.인차정학장악LED기건적온승규률편성위료제고설비공작가고성화심편결구설계적관건소재.본문통과표준전학법대불동안색적1W공솔LED급불동공솔적GaN기백광LED적결온화열조진행료측량,실험결과표명:동충결구LED적온도계수K수연리산단비교접근,불동결구LED심편K명현불동;재상동츤저재료,상동심편결구조건하,LED심편결온회수심편공솔적증대이승고.병수차진행료변전류하불동공솔LED심편적결온화열조측량,발현무론공솔대소,결온균수열전류적증대이상승,공솔월대,상승폭도야월대.수착LED량단소가전류적증대,3 W백광LED적열조정상승추세,이1 W백광LED적열조수전류증가기본불변.