粉末冶金材料科学与工程
粉末冶金材料科學與工程
분말야금재료과학여공정
POWDER METALLURGY MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2010年
3期
277-282
,共6页
李军%张翔%廖寄乔%谭周建
李軍%張翔%廖寄喬%譚週建
리군%장상%료기교%담주건
碳化硅晶须%长径比%CNT-SiCw%复合涂层%CVD
碳化硅晶鬚%長徑比%CNT-SiCw%複閤塗層%CVD
탄화규정수%장경비%CNT-SiCw%복합도층%CVD
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须(SiCw),制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1100℃、空气中对该氧化涂层进行10h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用.结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100mL/min.在此工艺下,沉积时间为15min时,能制备出高长径比、平均直径约100nm的碳化硅晶须.有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%.
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)為先驅體原料,採用化學氣相沉積法在C/C複閤材料基體上原位生長碳化硅晶鬚(SiCw),製備CNT-SiCw抗氧化塗層,併在1100℃、空氣中對該氧化塗層進行10h抗氧化實驗,研究SiCw的製備工藝以及SiCw在C/C複閤材料抗氧化塗層中的作用.結果錶明:製備碳化硅晶鬚的最佳工藝為:溫度1100℃、常壓、載氣和稀釋氣體流量均為100mL/min.在此工藝下,沉積時間為15min時,能製備齣高長徑比、平均直徑約100nm的碳化硅晶鬚.有CNT-SiCw塗層C/C複閤材料試樣在空氣中氧化後的質量損失率僅0.7%,沒有塗層的試樣的質量損失率約為15%.
이삼록갑기규완(CH3SiCl3,MTS)위선구체원료,채용화학기상침적법재C/C복합재료기체상원위생장탄화규정수(SiCw),제비CNT-SiCw항양화도층,병재1100℃、공기중대해양화도층진행10h항양화실험,연구SiCw적제비공예이급SiCw재C/C복합재료항양화도층중적작용.결과표명:제비탄화규정수적최가공예위:온도1100℃、상압、재기화희석기체류량균위100mL/min.재차공예하,침적시간위15min시,능제비출고장경비、평균직경약100nm적탄화규정수.유CNT-SiCw도층C/C복합재료시양재공기중양화후적질량손실솔부0.7%,몰유도층적시양적질량손실솔약위15%.
