原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
4期
452-455
,共4页
王衍斌%唐永建%朱效立%张林%陈志梅%马小军
王衍斌%唐永建%硃效立%張林%陳誌梅%馬小軍
왕연빈%당영건%주효립%장림%진지매%마소군
微米柱阵列%刻蚀%CH
微米柱陣列%刻蝕%CH
미미주진렬%각식%CH
微米柱阵列埋点靶是研究超短激光辐照靶激光吸收效率和等离子体产生过程及发展的1种重要靶型.本文结合采用电子束刻蚀、X射线刻蚀和微电镀等制备金微米点阵列,用CVD方法对阵列间隙填充无应力CH薄膜,用SEM、AFM与白光干涉仪等对制作过程和结果样品进行检测.结果表明,用电子束刻蚀方法制作的掩膜分辨率好、边缘光滑.用同步辐射的X光制作高质量样品,样品点柱高宽比为4,垂直度近于90°,点柱阵列周期为2×2μm,CH层厚约4μm.
微米柱陣列埋點靶是研究超短激光輻照靶激光吸收效率和等離子體產生過程及髮展的1種重要靶型.本文結閤採用電子束刻蝕、X射線刻蝕和微電鍍等製備金微米點陣列,用CVD方法對陣列間隙填充無應力CH薄膜,用SEM、AFM與白光榦涉儀等對製作過程和結果樣品進行檢測.結果錶明,用電子束刻蝕方法製作的掩膜分辨率好、邊緣光滑.用同步輻射的X光製作高質量樣品,樣品點柱高寬比為4,垂直度近于90°,點柱陣列週期為2×2μm,CH層厚約4μm.
미미주진렬매점파시연구초단격광복조파격광흡수효솔화등리자체산생과정급발전적1충중요파형.본문결합채용전자속각식、X사선각식화미전도등제비금미미점진렬,용CVD방법대진렬간극전충무응력CH박막,용SEM、AFM여백광간섭의등대제작과정화결과양품진행검측.결과표명,용전자속각식방법제작적엄막분변솔호、변연광활.용동보복사적X광제작고질량양품,양품점주고관비위4,수직도근우90°,점주진렬주기위2×2μm,CH층후약4μm.
