微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
336-340
,共5页
成东波%孙玲玲%洪慧%章少杰%吴国峰
成東波%孫玲玲%洪慧%章少傑%吳國峰
성동파%손령령%홍혜%장소걸%오국봉
套筒式结构%运算放大器%共模反馈电路
套筒式結構%運算放大器%共模反饋電路
투통식결구%운산방대기%공모반궤전로
基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种带共模反馈电路的套筒式全差分运算放大器.该电路主要由套筒式结构的主运放、偏置电路和共模反馈电路组成.仿真结果表明,设计的电路开环增益为79.4 dB,单位增益带宽为179 MHz,相位裕度为75.5°(负载Cload= 3 PF),功耗为2.31 mW.提出了一种全新的全差分运放增益测试方法,可以比较准确地测得运放的低频增益.对通过流片的电路进行测试和分析,结果与仿真指标基本接近,达到预先设计的要求.
基于Chartered 0.35 μm工藝,設計瞭一種帶共模反饋電路的套筒式全差分運算放大器.該電路主要由套筒式結構的主運放、偏置電路和共模反饋電路組成.倣真結果錶明,設計的電路開環增益為79.4 dB,單位增益帶寬為179 MHz,相位裕度為75.5°(負載Cload= 3 PF),功耗為2.31 mW.提齣瞭一種全新的全差分運放增益測試方法,可以比較準確地測得運放的低頻增益.對通過流片的電路進行測試和分析,結果與倣真指標基本接近,達到預先設計的要求.
기우Chartered 0.35 μm공예,설계료일충대공모반궤전로적투통식전차분운산방대기.해전로주요유투통식결구적주운방、편치전로화공모반궤전로조성.방진결과표명,설계적전로개배증익위79.4 dB,단위증익대관위179 MHz,상위유도위75.5°(부재Cload= 3 PF),공모위2.31 mW.제출료일충전신적전차분운방증익측시방법,가이비교준학지측득운방적저빈증익.대통과류편적전로진행측시화분석,결과여방진지표기본접근,체도예선설계적요구.
