长春理工大学学报（自然科学版）
長春理工大學學報（自然科學版）
장춘리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHANGCHUN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
2期
59-61
,共3页
徐扬%高欣%乔忠良%邹微微%周路%薄报学
徐颺%高訢%喬忠良%鄒微微%週路%薄報學
서양%고흔%교충량%추미미%주로%박보학
半导体激光器%热分布%ANSYS软件%掩蔽膜
半導體激光器%熱分佈%ANSYS軟件%掩蔽膜
반도체격광기%열분포%ANSYS연건%엄폐막
运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及A1N材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响.结果表明,有源区的平衡温度由器件的散热特性决定,用A1N材料代替SiO2材料制备掩蔽膜,能降低器件内部温度,更好的满足半导体激光器高效率工作的需要.
運用ANSYS軟件建立瞭808nm高功率半導體激光器內部熱源分析模型,併對其進行瞬態溫度及穩態溫度模擬,討論瞭SiO2及A1N材料掩蔽膜對器件內部溫度場分佈的影響.結果錶明,有源區的平衡溫度由器件的散熱特性決定,用A1N材料代替SiO2材料製備掩蔽膜,能降低器件內部溫度,更好的滿足半導體激光器高效率工作的需要.
운용ANSYS연건건립료808nm고공솔반도체격광기내부열원분석모형,병대기진행순태온도급은태온도모의,토론료SiO2급A1N재료엄폐막대기건내부온도장분포적영향.결과표명,유원구적평형온도유기건적산열특성결정,용A1N재료대체SiO2재료제비엄폐막,능강저기건내부온도,경호적만족반도체격광기고효솔공작적수요.
