真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2011年
6期
12-15,25
,共5页
微通道板光电倍增管%电子光学系统%光电阴极
微通道闆光電倍增管%電子光學繫統%光電陰極
미통도판광전배증관%전자광학계통%광전음겁
简述了5英寸半球形微通道板光电倍增管(简称:5”半球形MCP-PMT)的电子光学系统设计和优化试验；整管结构设计、工艺路径设计和光电参数设计.介绍了研制过程中,为确保MCP的增益特性和增益的稳定性,针对暗发射、真空性能等所采取的技术措施和相关工艺；分析产生暗电流(Id)和Id稳定性差(跳动)的各种因素,进行多次试验验证,解决了降低Id并使之趋于稳定的关键技术,优化了相关结构,在正常工作条件下,可达到Id≤30nA.为使器件更适用于进行单光子探测,本文还提出了研制量子效率更高、时间特性更好的全球形MCP-PMT的发展方向.
簡述瞭5英吋半毬形微通道闆光電倍增管(簡稱:5”半毬形MCP-PMT)的電子光學繫統設計和優化試驗；整管結構設計、工藝路徑設計和光電參數設計.介紹瞭研製過程中,為確保MCP的增益特性和增益的穩定性,針對暗髮射、真空性能等所採取的技術措施和相關工藝；分析產生暗電流(Id)和Id穩定性差(跳動)的各種因素,進行多次試驗驗證,解決瞭降低Id併使之趨于穩定的關鍵技術,優化瞭相關結構,在正常工作條件下,可達到Id≤30nA.為使器件更適用于進行單光子探測,本文還提齣瞭研製量子效率更高、時間特性更好的全毬形MCP-PMT的髮展方嚮.
간술료5영촌반구형미통도판광전배증관(간칭:5”반구형MCP-PMT)적전자광학계통설계화우화시험；정관결구설계、공예로경설계화광전삼수설계.개소료연제과정중,위학보MCP적증익특성화증익적은정성,침대암발사、진공성능등소채취적기술조시화상관공예；분석산생암전류(Id)화Id은정성차(도동)적각충인소,진행다차시험험증,해결료강저Id병사지추우은정적관건기술,우화료상관결구,재정상공작조건하,가체도Id≤30nA.위사기건경괄용우진행단광자탐측,본문환제출료연제양자효솔경고、시간특성경호적전구형MCP-PMT적발전방향.
