物理学报
物理學報
물이학보
2004年
10期
3515-3520
,共6页
贾瑜%杨仕娥%马丙现%李新建%胡行
賈瑜%楊仕娥%馬丙現%李新建%鬍行
가유%양사아%마병현%리신건%호행
高密勒指数表面%电子结构%电子数目规则
高密勒指數錶麵%電子結構%電子數目規則
고밀륵지수표면%전자결구%전자수목규칙
采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算.结果表明:对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即-0.1-0.1eV,0.85-1.0eV和1.4-1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85-1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在-0.1-0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的As-As二聚体键的表面态,而处在1.4-1.6eV的表面态为阳离子空的悬挂键态.
採用格林函數方法對具有穩定結構的GaAs(2 5 11)(1×1)錶麵的電子結構特性進行瞭計算.結果錶明:對于理想的GaAs(2 5 11)錶麵,基本帶隙內的錶麵態主要處在三箇能量區域,即-0.1-0.1eV,0.85-1.0eV和1.4-1.6eV之間;吸附兩箇As原子形成(1×1)再構後,錶麵態的變化主要錶現在0.85-1.0eV之間的錶麵態完全消失.結閤電子數目規則,可以確定處在-0.1-0.1eV之間的錶麵態為全部填滿的陰離子懸掛鍵態或再構引起的As-As二聚體鍵的錶麵態,而處在1.4-1.6eV的錶麵態為暘離子空的懸掛鍵態.
채용격림함수방법대구유은정결구적GaAs(2 5 11)(1×1)표면적전자결구특성진행료계산.결과표명:대우이상적GaAs(2 5 11)표면,기본대극내적표면태주요처재삼개능량구역,즉-0.1-0.1eV,0.85-1.0eV화1.4-1.6eV지간;흡부량개As원자형성(1×1)재구후,표면태적변화주요표현재0.85-1.0eV지간적표면태완전소실.결합전자수목규칙,가이학정처재-0.1-0.1eV지간적표면태위전부전만적음리자현괘건태혹재구인기적As-As이취체건적표면태,이처재1.4-1.6eV적표면태위양리자공적현괘건태.
