半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
2期
309-313
,共5页
黄秀颀%刘峰奇%车晓玲%刘俊岐%雷文%王占国
黃秀頎%劉峰奇%車曉玲%劉俊岐%雷文%王佔國
황수기%류봉기%차효령%류준기%뢰문%왕점국
量子点%分子束外延%InAlGaAs缓冲层
量子點%分子束外延%InAlGaAs緩遲層
양자점%분자속외연%InAlGaAs완충층
在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响.对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动,以获得能量最优的分布状态.
在InP(001)襯底上使用分子束外延技術自組織生長瞭多週期InAs/InAlGaAs量子點陣列結構.根據對透射電鏡和光緻髮光譜結果的分析,認為引入與InP襯底晶格匹配的InAlGaAs緩遲層可以穫得較大的InAs量子點結構,而InAlGaAs層的錶麵特性對InAs量子點的結構及光學性質有很大影響.對InP基InAlGaAs緩遲層上自組織量子點的形覈和縯化機製進行瞭探討,提齣量子點的縯化過程錶現為量子點的閤併長大併伴隨著自身的徙動,以穫得能量最優的分佈狀態.
재InP(001)츤저상사용분자속외연기술자조직생장료다주기InAs/InAlGaAs양자점진렬결구.근거대투사전경화광치발광보결과적분석,인위인입여InP츤저정격필배적InAlGaAs완충층가이획득교대적InAs양자점결구,이InAlGaAs층적표면특성대InAs양자점적결구급광학성질유흔대영향.대InP기InAlGaAs완충층상자조직양자점적형핵화연화궤제진행료탐토,제출양자점적연화과정표현위양자점적합병장대병반수착자신적사동,이획득능량최우적분포상태.
