物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2006年
11期
3-6,17
,共5页
杨通%崔海峰%邢国忠%关丽秀%丛春晓%谢玉鹏%姚斌
楊通%崔海峰%邢國忠%關麗秀%叢春曉%謝玉鵬%姚斌
양통%최해봉%형국충%관려수%총춘효%사옥붕%요빈
ZnO薄膜%磁控溅射%导电性能
ZnO薄膜%磁控濺射%導電性能
ZnO박막%자공천사%도전성능
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2 μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510～1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘-n型-p型-n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服Vo和Zni本征施主的补偿效应.
以高純ZnO為靶材,氬氣為濺射氣體,利用射頻磁控濺射技術在石英襯底上生長齣纖鋅礦結構的富鋅ZnO薄膜.薄膜沿(002)擇優取嚮生長,厚約為1.2 μm,呈現電絕緣特性.將濺射的ZnO薄膜在10-3Pa,510～1 000 K的溫度範圍等溫退火1 h,室溫Hall測量結果錶明ZnO薄膜的導電性能經歷瞭由絕緣-n型-p型-n型半導體的變化.XPS測試錶明ZnO薄膜的Zn/O離子比隨退火溫度的升高而降低,但一直是富鋅ZnO,說明未摻雜的富鋅ZnO也可以形成p型導電.p型未摻雜富鋅ZnO薄膜的形成可歸因于VZn受主濃度可以剋服Vo和Zni本徵施主的補償效應.
이고순ZnO위파재,아기위천사기체,이용사빈자공천사기술재석영츤저상생장출섬자광결구적부자ZnO박막.박막연(002)택우취향생장,후약위1.2 μm,정현전절연특성.장천사적ZnO박막재10-3Pa,510～1 000 K적온도범위등온퇴화1 h,실온Hall측량결과표명ZnO박막적도전성능경력료유절연-n형-p형-n형반도체적변화.XPS측시표명ZnO박막적Zn/O리자비수퇴화온도적승고이강저,단일직시부자ZnO,설명미참잡적부자ZnO야가이형성p형도전.p형미참잡부자ZnO박막적형성가귀인우VZn수주농도가이극복Vo화Zni본정시주적보상효응.
