半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
415-419
,共5页
陈超%刘渝珍%董立军%陈大鹏%王小波
陳超%劉渝珍%董立軍%陳大鵬%王小波
진초%류투진%동립군%진대붕%왕소파
C+注入%SiCN%XPS%高温退火
C+註入%SiCN%XPS%高溫退火
C+주입%SiCN%XPS%고온퇴화
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入,能量为30kev,剂量为2×1017 cm-2.对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退火处理.通过XPS,AES的测量得到,经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构.用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析,得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响,认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.
常溫下對低壓化學氣相沉積製備的納米硅鑲嵌結構的a-SiNx∶H薄膜進行C+註入,能量為30kev,劑量為2×1017 cm-2.對C+註入的SiNx薄膜在800℃的溫度下,進行2h的常規爐退火處理.通過XPS,AES的測量得到,經800℃高溫退火處理後的薄膜形成瞭部分SiCxNy結構.用喇曼、XPS等分析手段對薄膜結構及成分進行瞭測量與分析,得到不同退火溫度對離子註入形成SiCN薄膜結構與成分的影響,認為高溫退火後薄膜中硅含量與SiCxNy薄膜的形成有重要的關繫.
상온하대저압화학기상침적제비적납미규양감결구적a-SiNx∶H박막진행C+주입,능량위30kev,제량위2×1017 cm-2.대C+주입적SiNx박막재800℃적온도하,진행2h적상규로퇴화처리.통과XPS,AES적측량득도,경800℃고온퇴화처리후적박막형성료부분SiCxNy결구.용나만、XPS등분석수단대박막결구급성분진행료측량여분석,득도불동퇴화온도대리자주입형성SiCN박막결구여성분적영향,인위고온퇴화후박막중규함량여SiCxNy박막적형성유중요적관계.
