无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
5期
912-916
,共5页
马小叶%姜雪宁%孟宪芹%庞胜利%孟昕%张庆瑜
馬小葉%薑雪寧%孟憲芹%龐勝利%孟昕%張慶瑜
마소협%강설저%맹헌근%방성리%맹흔%장경유
Gd掺杂CeO2电解质薄膜%反应磁控溅射%薄膜生长%电学特性
Gd摻雜CeO2電解質薄膜%反應磁控濺射%薄膜生長%電學特性
Gd참잡CeO2전해질박막%반응자공천사%박막생장%전학특성
采用反应射频磁控溅射技术,在非晶石英衬底上不同温度下制备了纳米多晶Gd掺杂CeO2(简称GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜对薄膜物相、晶粒大小、生长形貌进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜的电学性能.结果表明,GDC薄膜生长取向随沉积温度而变化:300-400℃时为强(111)织构生长,而500-600℃时薄膜趋于无规则生长;随着沉积温度的升高,薄膜的牛长形貌由同一取向的大棱形生长岛转变为密集球形小生长岛;GDC多晶薄膜的电导活化能约为1.3eV,接近于晶界电导活化能值,说明GDC交流阻抗主要源于晶界的贡献;晶界空间电荷效应导致GDC薄膜电导率随晶粒尺寸而变化,晶粒尺寸越小,电导率越大.
採用反應射頻磁控濺射技術,在非晶石英襯底上不同溫度下製備瞭納米多晶Gd摻雜CeO2(簡稱GDC)氧離子導體電解質薄膜,採用X射線衍射儀、原子力顯微鏡對薄膜物相、晶粒大小、生長形貌進行瞭錶徵,利用交流阻抗譜儀測試瞭GDC薄膜的電學性能.結果錶明,GDC薄膜生長取嚮隨沉積溫度而變化:300-400℃時為彊(111)織構生長,而500-600℃時薄膜趨于無規則生長;隨著沉積溫度的升高,薄膜的牛長形貌由同一取嚮的大稜形生長島轉變為密集毬形小生長島;GDC多晶薄膜的電導活化能約為1.3eV,接近于晶界電導活化能值,說明GDC交流阻抗主要源于晶界的貢獻;晶界空間電荷效應導緻GDC薄膜電導率隨晶粒呎吋而變化,晶粒呎吋越小,電導率越大.
채용반응사빈자공천사기술,재비정석영츤저상불동온도하제비료납미다정Gd참잡CeO2(간칭GDC)양리자도체전해질박막,채용X사선연사의、원자력현미경대박막물상、정립대소、생장형모진행료표정,이용교류조항보의측시료GDC박막적전학성능.결과표명,GDC박막생장취향수침적온도이변화:300-400℃시위강(111)직구생장,이500-600℃시박막추우무규칙생장;수착침적온도적승고,박막적우장형모유동일취향적대릉형생장도전변위밀집구형소생장도;GDC다정박막적전도활화능약위1.3eV,접근우정계전도활화능치,설명GDC교류조항주요원우정계적공헌;정계공간전하효응도치GDC박막전도솔수정립척촌이변화,정립척촌월소,전도솔월대.
