稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2009年
2期
223-226
,共4页
掺氮%300mm%氧化诱生层错(OSF)%直拉单晶硅
摻氮%300mm%氧化誘生層錯(OSF)%直拉單晶硅
참담%300mm%양화유생층착(OSF)%직랍단정규
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为.从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验.实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加.这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大.
採用直拉法生長普通和摻氮硅單晶,研究不同含氮濃度的晶體中氧化誘生層錯(OSF)的行為.從4組晶體的相同位置取樣,併對樣品進行1100℃濕氧氧化實驗.實驗結果錶明,隨著晶體中氮濃度的增加樣品中氧化誘生層錯環(OSF-ring)寬度變大,且環內OSF缺陷的密度增加.這說明,氮的摻入促進瞭晶體中滿足OSF形覈要求的原生氧沉澱的形成,使OSF形覈區變大.
채용직랍법생장보통화참담규단정,연구불동함담농도적정체중양화유생층착(OSF)적행위.종4조정체적상동위치취양,병대양품진행1100℃습양양화실험.실험결과표명,수착정체중담농도적증가양품중양화유생층착배(OSF-ring)관도변대,차배내OSF결함적밀도증가.저설명,담적참입촉진료정체중만족OSF형핵요구적원생양침정적형성,사OSF형핵구변대.
