电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
6期
71-75
,共5页
刘丹妮%史永胜%马猛飞%杨巍巍%杨若欣
劉丹妮%史永勝%馬猛飛%楊巍巍%楊若訢
류단니%사영성%마맹비%양외외%양약흔
AZO%溅射功率%衬底温度%结构特性%光电特性
AZO%濺射功率%襯底溫度%結構特性%光電特性
AZO%천사공솔%츤저온도%결구특성%광전특성
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:AI(AZO)透明导电薄膜,并借助XRD、SEM等表征方法,研究了溅射功率和衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响.结果表明,制备薄膜的最佳溅射功率和衬底温度分别为180W、200℃,在此条件下制备的AZO薄膜具有明显的c轴(002)择优取向,其最低方块电阻为18 Ω/□,在可见光范围内的平均透光率超过91％,且透明导电性能优于目前平板显示器的要求,有望取代现在市场上的主流氧化铟锡(ITO)薄膜.
採用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上製備瞭ZnO:AI(AZO)透明導電薄膜,併藉助XRD、SEM等錶徵方法,研究瞭濺射功率和襯底溫度對薄膜結構、錶麵形貌及光電特性的影響.結果錶明,製備薄膜的最佳濺射功率和襯底溫度分彆為180W、200℃,在此條件下製備的AZO薄膜具有明顯的c軸(002)擇優取嚮,其最低方塊電阻為18 Ω/□,在可見光範圍內的平均透光率超過91％,且透明導電性能優于目前平闆顯示器的要求,有望取代現在市場上的主流氧化銦錫(ITO)薄膜.
채용사빈자공천사법재파리츤저상제비료ZnO:AI(AZO)투명도전박막,병차조XRD、SEM등표정방법,연구료천사공솔화츤저온도대박막결구、표면형모급광전특성적영향.결과표명,제비박막적최가천사공솔화츤저온도분별위180W、200℃,재차조건하제비적AZO박막구유명현적c축(002)택우취향,기최저방괴전조위18 Ω/□,재가견광범위내적평균투광솔초과91％,차투명도전성능우우목전평판현시기적요구,유망취대현재시장상적주류양화인석(ITO)박막.
