硼掺杂金刚石薄膜研究
붕참잡금강석박막연구
Study of Boron-doped Diamond Film
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 3期 569-572 ,共4页

    魏俊俊%贺琦%高旭辉%郭会斌%石绍渊%吕反修%唐伟忠%陈广超

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    硼掺杂是改善金刚石薄膜电阻率的有效手段,被认为是将金刚石薄膜用于制备电化学电极的途径.本文通过CVD法在单晶硅片上制得掺硼金刚石薄膜(BDD),并采用四点探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对之进行检测,发现随着硼掺入量的增加,薄膜电阻率逐渐降低,重掺杂时可达2.0×10-3Ω·cm.同时金刚石薄膜的固有质量出现恶化,表现为金刚石晶粒的碎化以及拉曼观察到的薄膜内应力的增加和非金刚石峰的出现.对薄膜电极进行电化学测量发现BDD电极在酸性溶液中具有非常宽的电位窗口和高的阳极极化电位,且背景电流极低.
    붕참잡시개선금강석박막전조솔적유효수단,피인위시장금강석박막용우제비전화학전겁적도경.본문통과CVD법재단정규편상제득참붕금강석박막(BDD),병채용사점탐침、소묘전경、격광랍만화전화학공작참대지진행검측,발현수착붕참입량적증가,박막전조솔축점강저,중참잡시가체2.0×10-3Ω·cm.동시금강석박막적고유질량출현악화,표현위금강석정립적쇄화이급랍만관찰도적박막내응력적증가화비금강석봉적출현.대박막전겁진행전화학측량발현BDD전겁재산성용액중구유비상관적전위창구화고적양겁겁화전위,차배경전류겁저.
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