物理学报
物理學報
물이학보
2007年
7期
4242-4246
,共5页
李卫%徐岭%孙萍%赵伟明%黄信凡%徐骏%陈坤基
李衛%徐嶺%孫萍%趙偉明%黃信凡%徐駿%陳坤基
리위%서령%손평%조위명%황신범%서준%진곤기
胶体晶体刻蚀%纳米硅柱阵列
膠體晶體刻蝕%納米硅柱陣列
효체정체각식%납미규주진렬
以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200 nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE),以氧气为气源,利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用,通过改变刻蚀时间,制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列;接着以此二维PS胶体单层膜为掩模,以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀;最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明:改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间,可以控制硅柱的尺寸以及形貌,而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径.
以自組裝單層膠體小毬陣列為掩模,採用直接膠體晶體刻蝕技術在硅錶麵製備二維有序呎吋可控的納米結構.在樣品製備過程中,首先通過自組裝法在硅錶麵製備瞭直徑200 nm的單層聚苯乙烯(PS)膠體小毬的二維有序陣列;然後對樣品直接進行反應離子刻蝕(RIE),以氧氣為氣源,利用氧等離子體對聚苯乙烯小毬和對硅的選擇性刻蝕作用,通過改變刻蝕時間,製備齣不同呎吋的PS膠體小毬的有序單層陣列;接著以此二維PS膠體單層膜為掩模,以四氟化碳為氣源對樣品進行刻蝕;最後去除膠體毬後得到二維有序的硅柱陣列.SEM和AFM的測量結果錶明:改變氧等離子體對膠體毬的刻蝕時間和四氟化碳對硅的刻蝕時間,可以控製硅柱的呎吋以及形貌,而硅柱陣列的週期取決于原始膠體毬的直徑.
이자조장단층효체소구진렬위엄모,채용직접효체정체각식기술재규표면제비이유유서척촌가공적납미결구.재양품제비과정중,수선통과자조장법재규표면제비료직경200 nm적단층취분을희(PS)효체소구적이유유서진렬;연후대양품직접진행반응리자각식(RIE),이양기위기원,이용양등리자체대취분을희소구화대규적선택성각식작용,통과개변각식시간,제비출불동척촌적PS효체소구적유서단층진렬;접착이차이유PS효체단층막위엄모,이사불화탄위기원대양품진행각식;최후거제효체구후득도이유유서적규주진렬.SEM화AFM적측량결과표명:개변양등리자체대효체구적각식시간화사불화탄대규적각식시간,가이공제규주적척촌이급형모,이규주진렬적주기취결우원시효체구적직경.
