量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2008年
2期
240-245
,共6页
张吉明%廖源%张五堂%余庆选%傅竹西
張吉明%廖源%張五堂%餘慶選%傅竹西
장길명%료원%장오당%여경선%부죽서
材料%氧化锌薄膜%脉冲激光沉积法%金刚石%应力
材料%氧化鋅薄膜%脈遲激光沉積法%金剛石%應力
재료%양화자박막%맥충격광침적법%금강석%응력
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较,也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认.
採用脈遲激光沉積(PLD)技術,在(110)和(100)織構金剛石膜上成功製備齣高度c-軸取嚮的ZnO薄膜,然後在純氮氣氛條件下對ZnO薄膜進行退火處理.作為比較,也在(100)Si上生長的ZnO薄膜進行瞭相同的處理.通過測量X射線衍射(XRD)譜和光緻髮光(PL)譜,研究瞭不同襯底性質和退火對薄膜結構和髮光特性的影響.實驗結果錶明,在(100)織構金剛石上的ZnO膜具有最好的結晶質量,其半高寬隻有0.2°.退火之後近紫外髮光峰明顯減弱的同時,綠色髮光峰得到增彊.這裏歸結為氮氣退火後氧空位的增加,這點從退火後的XPS譜中可以得到進一步的確認.
채용맥충격광침적(PLD)기술,재(110)화(100)직구금강석막상성공제비출고도c-축취향적ZnO박막,연후재순담기분조건하대ZnO박막진행퇴화처리.작위비교,야재(100)Si상생장적ZnO박막진행료상동적처리.통과측량X사선연사(XRD)보화광치발광(PL)보,연구료불동츤저성질화퇴화대박막결구화발광특성적영향.실험결과표명,재(100)직구금강석상적ZnO막구유최호적결정질량,기반고관지유0.2°.퇴화지후근자외발광봉명현감약적동시,록색발광봉득도증강.저리귀결위담기퇴화후양공위적증가,저점종퇴화후적XPS보중가이득도진일보적학인.
