电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
10期
34-36,40
,共4页
韦鹏飞%周洪庆%朱海奎%宁革%刘敏
韋鵬飛%週洪慶%硃海奎%寧革%劉敏
위붕비%주홍경%주해규%저혁%류민
无机非金属材料%CaO-B2O3-SiO2%挥发率%硼含量%微晶玻璃
無機非金屬材料%CaO-B2O3-SiO2%揮髮率%硼含量%微晶玻璃
무궤비금속재료%CaO-B2O3-SiO2%휘발솔%붕함량%미정파리
采用高温熔融法,制备了不同硼含量(w(B2O3)为30% ～ 40%)的CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃.考察硼含量对该体系微晶玻璃熔制过程中B2O3挥发率及其性能的影响.结果表明:随w(B2O3)增加B2O3挥发率增大,为4.27%～6.91%.w(B2O3)为35%时,试样的烧结温度范围较宽,最佳烧结温度为850 ℃,体积密度为2.54 g/cm3,10 MHz下,εr为6.42,tanδ为9×10–4.在最佳烧结温度下,试样的εr随w(B2O3)变化不大,处于6.2～6.5,w(B2O3)为30%或40%时,tanδ显著增大至10–2量级.
採用高溫鎔融法,製備瞭不同硼含量(w(B2O3)為30% ～ 40%)的CaO-B2O3-SiO2繫微晶玻璃.攷察硼含量對該體繫微晶玻璃鎔製過程中B2O3揮髮率及其性能的影響.結果錶明:隨w(B2O3)增加B2O3揮髮率增大,為4.27%～6.91%.w(B2O3)為35%時,試樣的燒結溫度範圍較寬,最佳燒結溫度為850 ℃,體積密度為2.54 g/cm3,10 MHz下,εr為6.42,tanδ為9×10–4.在最佳燒結溫度下,試樣的εr隨w(B2O3)變化不大,處于6.2～6.5,w(B2O3)為30%或40%時,tanδ顯著增大至10–2量級.
채용고온용융법,제비료불동붕함량(w(B2O3)위30% ～ 40%)적CaO-B2O3-SiO2계미정파리.고찰붕함량대해체계미정파리용제과정중B2O3휘발솔급기성능적영향.결과표명:수w(B2O3)증가B2O3휘발솔증대,위4.27%～6.91%.w(B2O3)위35%시,시양적소결온도범위교관,최가소결온도위850 ℃,체적밀도위2.54 g/cm3,10 MHz하,εr위6.42,tanδ위9×10–4.재최가소결온도하,시양적εr수w(B2O3)변화불대,처우6.2～6.5,w(B2O3)위30%혹40%시,tanδ현저증대지10–2량급.
