真空
真空
진공
VACUUM
2010年
2期
37-39
,共3页
王安福%刘亚丽%叶佳宇%王靖林
王安福%劉亞麗%葉佳宇%王靖林
왕안복%류아려%협가우%왕정림
VO2薄膜%磁控溅射%退火%氩气气氛%表征
VO2薄膜%磁控濺射%退火%氬氣氣氛%錶徵
VO2박막%자공천사%퇴화%아기기분%표정
本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜.通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析.结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性.
本文採用射頻磁控濺射法,結閤氬氣氣氛退火工藝製備瞭VO2薄膜.通過優化磁控濺射和熱退火工藝,結閤激光拉曼光譜儀(Raman)、X射線光電子能譜(XPS)、電鏡掃描(SEM)對薄膜的相結構、組分和錶麵形貌進行分析.結果錶明:濺射襯底溫度為150℃,在450℃氬氣氣氛退火2.5 h能製備齣高質量的VO2薄膜,錶麵呈米粒狀,有一定的取嚮性.
본문채용사빈자공천사법,결합아기기분퇴화공예제비료VO2박막.통과우화자공천사화열퇴화공예,결합격광랍만광보의(Raman)、X사선광전자능보(XPS)、전경소묘(SEM)대박막적상결구、조분화표면형모진행분석.결과표명:천사츤저온도위150℃,재450℃아기기분퇴화2.5 h능제비출고질량적VO2박막,표면정미립상,유일정적취향성.