一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
일충기우전류계제파적상변존저기찰구동전로
SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2011年 6期 840-843 ,共4页

    陈一峰%宋志棠%陈小刚%陈后鹏%刘波%白宁%陈邦明%吴关平%谢志峰%杨左娅

    진일봉%송지당%진소강%진후붕%류파%백저%진방명%오관평%사지봉%양좌아

    相变存储器%非易失性存储器%电流阶梯波%擦驱动电路 相變存儲器%非易失性存儲器%電流階梯波%抆驅動電路
    상변존저기%비역실성존저기%전류계제파%찰구동전로
    基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128 kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99％以上.
    기우상변존저기적찰조작(SET)특성,설계료일충능구산생전류계제파적상변존저기찰구동전로,채용130 nm표준CMOS공예장기여128 kb적상변존저기실험심편집성.상비전통적단일전류맥충찰구동전로,저충개진후적찰구동전로능장상변존저단원적전조균치종15 kΩ좌우강지7 kΩ좌우,병차존저진렬적조치분포일치성야득도제승,최종능장128 kb상변존저실험심편적단원성품솔제승지99％이상.
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