物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2012年
6期
1398-1404
,共7页
王慧%席燕燕%周剑章%林仲华
王慧%席燕燕%週劍章%林仲華
왕혜%석연연%주검장%림중화
电流脉冲法%硫化镉%对氨基苯硫酚%形貌调控%纳米薄膜%纳米棒
電流脈遲法%硫化鎘%對氨基苯硫酚%形貌調控%納米薄膜%納米棒
전류맥충법%류화력%대안기분류분%형모조공%납미박막%납미봉
采用电流脉冲法在自组装了对氨基苯硫酚单层的金电极(PAT P/Au)上电沉积硫化镉(CdS)纳米薄膜,运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对其形貌和结构进行了表征,发现得到的是垂直基底生长的CdS纳米棒有序阵列.研究电沉积中电流脉冲参数的影响时发现:随着电流脉冲宽度增大,CdS纳米棒的尺寸增大,有序性降低;脉冲幅度增大,则纳米棒尺寸增大,覆盖度也随之增大.因此通过调节脉冲宽度和脉冲幅度,可对所制备的CdS纳米薄膜的形貌和尺寸进行调控.运用循环伏安法和计时电位法对电沉积机理进行了探究.根据实验结果我们认为Au电极自组装PATP单分子层后,PATP分子中的-NH2与溶液中Cd2+相互作用,使沉积时的电子通过表面的PATP分子链进行传递.并进一步提出纳米CdS在PATP/Au电极上电化学合成的生长机理.
採用電流脈遲法在自組裝瞭對氨基苯硫酚單層的金電極(PAT P/Au)上電沉積硫化鎘(CdS)納米薄膜,運用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射譜(XRD)對其形貌和結構進行瞭錶徵,髮現得到的是垂直基底生長的CdS納米棒有序陣列.研究電沉積中電流脈遲參數的影響時髮現:隨著電流脈遲寬度增大,CdS納米棒的呎吋增大,有序性降低;脈遲幅度增大,則納米棒呎吋增大,覆蓋度也隨之增大.因此通過調節脈遲寬度和脈遲幅度,可對所製備的CdS納米薄膜的形貌和呎吋進行調控.運用循環伏安法和計時電位法對電沉積機理進行瞭探究.根據實驗結果我們認為Au電極自組裝PATP單分子層後,PATP分子中的-NH2與溶液中Cd2+相互作用,使沉積時的電子通過錶麵的PATP分子鏈進行傳遞.併進一步提齣納米CdS在PATP/Au電極上電化學閤成的生長機理.
채용전류맥충법재자조장료대안기분류분단층적금전겁(PAT P/Au)상전침적류화력(CdS)납미박막,운용소묘전자현미경(SEM)화X사선연사보(XRD)대기형모화결구진행료표정,발현득도적시수직기저생장적CdS납미봉유서진렬.연구전침적중전류맥충삼수적영향시발현:수착전류맥충관도증대,CdS납미봉적척촌증대,유서성강저;맥충폭도증대,칙납미봉척촌증대,복개도야수지증대.인차통과조절맥충관도화맥충폭도,가대소제비적CdS납미박막적형모화척촌진행조공.운용순배복안법화계시전위법대전침적궤리진행료탐구.근거실험결과아문인위Au전겁자조장PATP단분자층후,PATP분자중적-NH2여용액중Cd2+상호작용,사침적시적전자통과표면적PATP분자련진행전체.병진일보제출납미CdS재PATP/Au전겁상전화학합성적생장궤리.