固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
341-345
,共5页
PNP三极管%锗硅双极-互补金属氧化物半导体%电流增益%特征频率
PNP三極管%鍺硅雙極-互補金屬氧化物半導體%電流增益%特徵頻率
PNP삼겁관%타규쌍겁-호보금속양화물반도체%전류증익%특정빈솔
设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管.在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能.晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10 GHz,满足高速电路设计的要求.
設計瞭一種新穎的偽垂直結構PNP晶體管.在鍺硅BiCMOS工藝基礎上,僅增加基區和集電區兩道離子註入,以低成本工藝實現瞭優良的性能.晶體管電流增益在30以上,擊穿電壓大于7V,特徵頻率10 GHz,滿足高速電路設計的要求.
설계료일충신영적위수직결구PNP정체관.재타규BiCMOS공예기출상,부증가기구화집전구량도리자주입,이저성본공예실현료우량적성능.정체관전류증익재30이상,격천전압대우7V,특정빈솔10 GHz,만족고속전로설계적요구.
