微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
58-62
,共5页
蔡小祥%张雨河%王会影%明鑫%贾鲲鹏%张波
蔡小祥%張雨河%王會影%明鑫%賈鯤鵬%張波
채소상%장우하%왕회영%명흠%가곤붕%장파
BiCMOS%过温保护电路%基准电流%温度滞回
BiCMOS%過溫保護電路%基準電流%溫度滯迴
BiCMOS%과온보호전로%기준전류%온도체회
设计了一种基于BiCMOS工艺、结构新颖的过温保护电路.对基准电流产生机理、芯片关断温度、芯片重新开启温度、温度滞回量和电路转换速度进行理论推导,给出了电路核心器件的参数设置.仿真结果显示,电路在127℃时关断芯片,116℃时重新开启芯片,温度滞回量为11℃,电路转换速度为26.2 V/℃,性能稳定、可靠.
設計瞭一種基于BiCMOS工藝、結構新穎的過溫保護電路.對基準電流產生機理、芯片關斷溫度、芯片重新開啟溫度、溫度滯迴量和電路轉換速度進行理論推導,給齣瞭電路覈心器件的參數設置.倣真結果顯示,電路在127℃時關斷芯片,116℃時重新開啟芯片,溫度滯迴量為11℃,電路轉換速度為26.2 V/℃,性能穩定、可靠.
설계료일충기우BiCMOS공예、결구신영적과온보호전로.대기준전유산생궤리、심편관단온도、심편중신개계온도、온도체회량화전로전환속도진행이론추도,급출료전로핵심기건적삼수설치.방진결과현시,전로재127℃시관단심편,116℃시중신개계심편,온도체회량위11℃,전로전환속도위26.2 V/℃,성능은정、가고.
