应用化工
應用化工
응용화공
APPLIED CHEMICAL INDUSTRY
2011年
6期
955-957,961
,共4页
ATO%固相法%纳米粉体%导电性能%表征
ATO%固相法%納米粉體%導電性能%錶徵
ATO%고상법%납미분체%도전성능%표정
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体.探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响.运用IR、XRD、TEM、比表面仪(BET)等对ATO粉体进行了表征.结果表明,当锑掺杂量为12.3%时,ATO纳米粉体具有最小电阻率,为3.36 Ω·cm,ATO粉体为四方晶红石结构,颗粒形状为近似球形,粒度均匀,一次粒径为10 nm左右.
以SnCl4·5H2O和SbCl3為原料,NH3為共沉澱劑,在錶麵活性劑存在下,採用室溫固相法製備銻摻雜二氧化錫(ATO)納米粉體.探討瞭摻銻量、錶麵活性劑對ATO粉體性能的影響.運用IR、XRD、TEM、比錶麵儀(BET)等對ATO粉體進行瞭錶徵.結果錶明,噹銻摻雜量為12.3%時,ATO納米粉體具有最小電阻率,為3.36 Ω·cm,ATO粉體為四方晶紅石結構,顆粒形狀為近似毬形,粒度均勻,一次粒徑為10 nm左右.
이SnCl4·5H2O화SbCl3위원료,NH3위공침정제,재표면활성제존재하,채용실온고상법제비제참잡이양화석(ATO)납미분체.탐토료참제량、표면활성제대ATO분체성능적영향.운용IR、XRD、TEM、비표면의(BET)등대ATO분체진행료표정.결과표명,당제참잡량위12.3%시,ATO납미분체구유최소전조솔,위3.36 Ω·cm,ATO분체위사방정홍석결구,과립형상위근사구형,립도균균,일차립경위10 nm좌우.
