硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2010年
20期
103,93
,共2页
孙天奇%张宗江%邹衡君%王春荣%傅兴华
孫天奇%張宗江%鄒衡君%王春榮%傅興華
손천기%장종강%추형군%왕춘영%부흥화
ESD%HBM%GCNMOS%版图优化
ESD%HBM%GCNMOS%版圖優化
ESD%HBM%GCNMOS%판도우화
分析GCNMOS的特点和工作机理,设计一种基于CSMC 0.5um 2P3M CMOS工艺下改进的ESD保护电路,并对版图设计进行了优化.测试结果表明,芯片的抗ESD能力达到3600V,实现了对芯片的全方位ESD保护.
分析GCNMOS的特點和工作機理,設計一種基于CSMC 0.5um 2P3M CMOS工藝下改進的ESD保護電路,併對版圖設計進行瞭優化.測試結果錶明,芯片的抗ESD能力達到3600V,實現瞭對芯片的全方位ESD保護.
분석GCNMOS적특점화공작궤리,설계일충기우CSMC 0.5um 2P3M CMOS공예하개진적ESD보호전로,병대판도설계진행료우화.측시결과표명,심편적항ESD능력체도3600V,실현료대심편적전방위ESD보호.
