电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
6期
1077-1079,1083
,共4页
SI存储单元%FVF%时钟馈通误差%Hspice
SI存儲單元%FVF%時鐘饋通誤差%Hspice
SI존저단원%FVF%시종궤통오차%Hspice
利用一种新技术,在低压(1.8 V)条件下,设计了一种高性能的开关电流(SI)存储单元电路.该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟随器电路(FVF),从存储晶体管的输入端直接消除时钟馈通(CFT)误差电压,从而阻止了电流误差的产生,使得输出端的CFT误差电流降为原来的6%,并通过Hspice给出了仿真结果.结果表明所设计的电路方案正确有效.
利用一種新技術,在低壓(1.8 V)條件下,設計瞭一種高性能的開關電流(SI)存儲單元電路.該電路通過在基本存儲單元基礎上增加一箇電壓反轉跟隨器電路(FVF),從存儲晶體管的輸入耑直接消除時鐘饋通(CFT)誤差電壓,從而阻止瞭電流誤差的產生,使得輸齣耑的CFT誤差電流降為原來的6%,併通過Hspice給齣瞭倣真結果.結果錶明所設計的電路方案正確有效.
이용일충신기술,재저압(1.8 V)조건하,설계료일충고성능적개관전류(SI)존저단원전로.해전로통과재기본존저단원기출상증가일개전압반전근수기전로(FVF),종존저정체관적수입단직접소제시종궤통(CFT)오차전압,종이조지료전류오차적산생,사득수출단적CFT오차전류강위원래적6%,병통과Hspice급출료방진결과.결과표명소설계적전로방안정학유효.
