固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
330-333,368
,共5页
任春江%陈堂胜%焦刚%钟世昌%薛舫时%陈辰
任春江%陳堂勝%焦剛%鐘世昌%薛舫時%陳辰
임춘강%진당성%초강%종세창%설방시%진신
场板%铝镓氮/氮化镓%高电子迁移率晶体管%氮化铝%金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
場闆%鋁鎵氮/氮化鎵%高電子遷移率晶體管%氮化鋁%金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率晶體管
장판%려가담/담화가%고전자천이솔정체관%담화려%금속-절연체-반도체고전자천이솔정체관
报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.
報道瞭一種X波段輸齣功率密度達10.4 W/mm的SiC襯底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研製中採用瞭MIS結構、凹槽柵以及場闆,其中MIS結構中採用瞭磁控濺射的A1N介質作為絕緣層.採用MIS結構後,器件擊穿電壓由80 V提高到瞭180 V以上,保證瞭器件能夠實現更高的工作電壓.在8 GHz、55 V的工作電壓下,研製的1 mm柵寬AlGaN/GaN MIS-HEMT輸齣功率達到瞭10.4 W,此時器件的功率增益和功率附加效率分彆達到瞭6.56 dB和39.2%.
보도료일충X파단수출공솔밀도체10.4 W/mm적SiC츤저AIGaN/GaN MIS-HEMT,기건연제중채용료MIS결구、요조책이급장판,기중MIS결구중채용료자공천사적A1N개질작위절연층.채용MIS결구후,기건격천전압유80 V제고도료180 V이상,보증료기건능구실현경고적공작전압.재8 GHz、55 V적공작전압하,연제적1 mm책관AlGaN/GaN MIS-HEMT수출공솔체도료10.4 W,차시기건적공솔증익화공솔부가효솔분별체도료6.56 dB화39.2%.
