电子质量
電子質量
전자질량
ELECTRONICS QUALITY
2009年
2期
47-50
,共4页
单粒子闩锁%线能量传输%闩锁效应%电闩锁
單粒子閂鎖%線能量傳輸%閂鎖效應%電閂鎖
단입자산쇄%선능량전수%산쇄효응%전산쇄
文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时,CMOS反相器单粒子闩锁(SEL)特件的变化.通过对器件输出电平不同时,不同衬底的CMOS反相器进行仿真研究,我们得出,P村底器件输出为高电平时比输出为低电平时得到的闩锁电流大,而N衬底器件在输出不同时,得到的闩锁电流大小相近.对下同种衬底的器件在输出不同时对SEL的敏感性几乎相同.在深亚微米的器件中,输出对器件SEL特性的影响均较大,需要在研究器件SEL特性时把其考虑在内.
文中通過計算機模擬的方法分析瞭器件在不同輸齣電平時,CMOS反相器單粒子閂鎖(SEL)特件的變化.通過對器件輸齣電平不同時,不同襯底的CMOS反相器進行倣真研究,我們得齣,P村底器件輸齣為高電平時比輸齣為低電平時得到的閂鎖電流大,而N襯底器件在輸齣不同時,得到的閂鎖電流大小相近.對下同種襯底的器件在輸齣不同時對SEL的敏感性幾乎相同.在深亞微米的器件中,輸齣對器件SEL特性的影響均較大,需要在研究器件SEL特性時把其攷慮在內.
문중통과계산궤모의적방법분석료기건재불동수출전평시,CMOS반상기단입자산쇄(SEL)특건적변화.통과대기건수출전평불동시,불동츤저적CMOS반상기진행방진연구,아문득출,P촌저기건수출위고전평시비수출위저전평시득도적산쇄전류대,이N츤저기건재수출불동시,득도적산쇄전류대소상근.대하동충츤저적기건재수출불동시대SEL적민감성궤호상동.재심아미미적기건중,수출대기건SEL특성적영향균교대,수요재연구기건SEL특성시파기고필재내.
