材料研究与应用
材料研究與應用
재료연구여응용
MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION
2008年
4期
428-431
,共4页
邱胜桦%陈城钊%刘翠青%吴燕丹%李平%林璇英
邱勝樺%陳城釗%劉翠青%吳燕丹%李平%林璇英
구성화%진성쇠%류취청%오연단%리평%림선영
纳米晶硅薄膜%晶化率%RF-PECVD%Raman谱
納米晶硅薄膜%晶化率%RF-PECVD%Raman譜
납미정규박막%정화솔%RF-PECVD%Raman보
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜.
以SiH4與H2為氣源,採用射頻等離子體增彊化學氣相沉積技術,在較低的溫度(200℃)和較高的壓彊(230 Pa)下,在普通的玻璃襯底上製備齣沉積速率達8×10-10m/s,晶化率大于60%的納米晶硅薄膜.利用Raman譜分析硅烷濃度和射頻功率對納米晶硅薄膜的晶化特性的影響.結果錶明,薄膜的晶化率、沉積速率與硅烷濃度和射頻功率存在著密切的關繫.隨著硅烷濃度的降低,即氫稀釋率的提高,晶化率提高,而沉積速率隨著射頻功率的增大而增大.噹硅烷體積濃度為1%、射頻功率為70 W時,穫得晶化率接近70%的優質納米晶硅薄膜.
이SiH4여H2위기원,채용사빈등리자체증강화학기상침적기술,재교저적온도(200℃)화교고적압강(230 Pa)하,재보통적파리츤저상제비출침적속솔체8×10-10m/s,정화솔대우60%적납미정규박막.이용Raman보분석규완농도화사빈공솔대납미정규박막적정화특성적영향.결과표명,박막적정화솔、침적속솔여규완농도화사빈공솔존재착밀절적관계.수착규완농도적강저,즉경희석솔적제고,정화솔제고,이침적속솔수착사빈공솔적증대이증대.당규완체적농도위1%、사빈공솔위70 W시,획득정화솔접근70%적우질납미정규박막.
