功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
6期
961-965
,共5页
陈扬文%江素华%刘丽蓓%邵丙铣%顾志光%戎瑞芬%汪荣昌
陳颺文%江素華%劉麗蓓%邵丙鐉%顧誌光%戎瑞芬%汪榮昌
진양문%강소화%류려배%소병선%고지광%융서분%왕영창
超长硅纳米线%热蒸发%掺杂
超長硅納米線%熱蒸髮%摻雜
초장규납미선%열증발%참잡
采用SiO为起始原料、Ar为载气,蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下,成功地合成了超长的单晶硅纳米线;以SiO和P2O5混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂;借助电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)分析了硅纳米线P掺杂效果;利用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射仪(XDR)等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征,测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径,但其长度随着温度的升高而变长,在1180℃的生长区域,硅纳米线的长度达到了150ìm;硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除.
採用SiO為起始原料、Ar為載氣,蒸髮溫度1300℃、壓力1～2×104Pa的生長條件下,成功地閤成瞭超長的單晶硅納米線;以SiO和P2O5混閤粉末為起始原料時在相同的生長條件下實現瞭對硅納米線的摻雜;藉助電感耦閤等離子體質譜儀(ICPMS)分析瞭硅納米線P摻雜效果;利用掃描電鏡(SEM)、高分辨透射電鏡(HRTEM)、X射線衍射儀(XDR)等檢測手段對硅納米線進行瞭形貌和結構的錶徵,測試結果錶明在不同的沉積區域硅納米線具有大緻相同的直徑,但其長度隨著溫度的升高而變長,在1180℃的生長區域,硅納米線的長度達到瞭150ìm;硅納米線錶麵氧化層經HF和NH4F混閤溶液處理後被完全剔除.
채용SiO위기시원료、Ar위재기,증발온도1300℃、압력1～2×104Pa적생장조건하,성공지합성료초장적단정규납미선;이SiO화P2O5혼합분말위기시원료시재상동적생장조건하실현료대규납미선적참잡;차조전감우합등리자체질보의(ICPMS)분석료규납미선P참잡효과;이용소묘전경(SEM)、고분변투사전경(HRTEM)、X사선연사의(XDR)등검측수단대규납미선진행료형모화결구적표정,측시결과표명재불동적침적구역규납미선구유대치상동적직경,단기장도수착온도적승고이변장,재1180℃적생장구역,규납미선적장도체도료150ìm;규납미선표면양화층경HF화NH4F혼합용액처리후피완전척제.
