固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
4期
475-478,500
,共5页
温度退化特性%动态阈值%n型场效应晶体管
溫度退化特性%動態閾值%n型場效應晶體管
온도퇴화특성%동태역치%n형장효응정체관
对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析.动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET,降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度.讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机理.动态阈值nMOSFET优秀的阈值电压随温度退化特性使之非常适合工作于高温恶劣环境.
對動態閾值nMOSFET閾值電壓隨溫度退化特性進行瞭一階近似推導和分析.動態閾值nMOSFET較之普通nMOSFET,降低瞭閾值電壓溫度特性對溫度、溝道摻雜濃度及柵氧厚度等因素的敏感程度.討論瞭動態閾值nMOSFET優秀閾值電壓溫度特性的內在機理.動態閾值nMOSFET優秀的閾值電壓隨溫度退化特性使之非常適閤工作于高溫噁劣環境.
대동태역치nMOSFET역치전압수온도퇴화특성진행료일계근사추도화분석.동태역치nMOSFET교지보통nMOSFET,강저료역치전압온도특성대온도、구도참잡농도급책양후도등인소적민감정도.토론료동태역치nMOSFET우수역치전압온도특성적내재궤리.동태역치nMOSFET우수적역치전압수온도퇴화특성사지비상괄합공작우고온악렬배경.
