高温AlN模板上p型GaN的生长研究
고온AlN모판상p형GaN적생장연구
Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 1期 128-132 ,共5页

    刘挺%邹泽亚%王振%赵红%赵文伯%罗木昌%周勋%杨晓波%廖秀英

    류정%추택아%왕진%조홍%조문백%라목창%주훈%양효파%료수영

    高温AlN%渐变δ掺杂%均匀掺杂%金属有机物化学气相沉积%p型GaN 高溫AlN%漸變δ摻雜%均勻摻雜%金屬有機物化學氣相沉積%p型GaN
    고온AlN%점변δ참잡%균균참잡%금속유궤물화학기상침적%p형GaN
    利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.
    이용저압금속유궤물화학기상침적기술,채용균균참잡화점변Mg-δ참잡방법,분별재담화가(GaN)화고온담화려(HT-AlN)모판상,생장료p형GaN외연재료.생장후,쌍정X사선연사화곽이측시결과표명:HT-AlN모판상채용점변Mg-δ참잡방법생장적p형GaN재료,구유최호적정체질량화전학성능.해p형GaN양품적(0002)면반봉관치소지178",기공혈양농도위5.78×1017 cm-3.재대Cp2Mg/TMGa진행료우화시험후,p형GaN적공혈양농도피제고도8.03×1017 cm-3.
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