电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
11期
41-43
,共3页
李俊%闫金良%胡振彦%孙学卿
李俊%閆金良%鬍振彥%孫學卿
리준%염금량%호진언%손학경
复合材料%磁控溅射%多层膜%光电性质
複閤材料%磁控濺射%多層膜%光電性質
복합재료%자공천사%다층막%광전성질
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了不同厚度的ZnO/Ag/ZnO多层膜.对样品进行了研究.结果表明:随着Ag层厚度的增加,ZnO(002)衍射峰的强度先增加后减小,Ag(111)衍射峰的强度增强,ZnO/Ag/ZnO多层膜的面电阻先减小后趋于稳定.ZnO膜厚度增加,Ag膜易形成晶状结构,ZnO/Ag/ZnO多层膜的透射峰向长波方向移动.ZnO(60 nm)/Ag(11 nm)/ZnO(60 nm)膜在554 nm处的透过率高达92.3%,面电阻为4.2 Ω/□,品质常数ψГC最佳,约40×10-3/Ω.
採用射頻磁控濺射ZnO陶瓷靶、直流磁控濺射Ag靶的方法在室溫下製備瞭不同厚度的ZnO/Ag/ZnO多層膜.對樣品進行瞭研究.結果錶明:隨著Ag層厚度的增加,ZnO(002)衍射峰的彊度先增加後減小,Ag(111)衍射峰的彊度增彊,ZnO/Ag/ZnO多層膜的麵電阻先減小後趨于穩定.ZnO膜厚度增加,Ag膜易形成晶狀結構,ZnO/Ag/ZnO多層膜的透射峰嚮長波方嚮移動.ZnO(60 nm)/Ag(11 nm)/ZnO(60 nm)膜在554 nm處的透過率高達92.3%,麵電阻為4.2 Ω/□,品質常數ψГC最佳,約40×10-3/Ω.
채용사빈자공천사ZnO도자파、직류자공천사Ag파적방법재실온하제비료불동후도적ZnO/Ag/ZnO다층막.대양품진행료연구.결과표명:수착Ag층후도적증가,ZnO(002)연사봉적강도선증가후감소,Ag(111)연사봉적강도증강,ZnO/Ag/ZnO다층막적면전조선감소후추우은정.ZnO막후도증가,Ag막역형성정상결구,ZnO/Ag/ZnO다층막적투사봉향장파방향이동.ZnO(60 nm)/Ag(11 nm)/ZnO(60 nm)막재554 nm처적투과솔고체92.3%,면전조위4.2 Ω/□,품질상수ψГC최가,약40×10-3/Ω.
