半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
411-413
,共3页
刘丹%陈晓娟%罗卫军%李诚瞻%刘新宇%和致经
劉丹%陳曉娟%囉衛軍%李誠瞻%劉新宇%和緻經
류단%진효연%라위군%리성첨%류신우%화치경
AlGaN/GaN HEMT%小信号等效电路%参数提取
AlGaN/GaN HEMT%小信號等效電路%參數提取
AlGaN/GaN HEMT%소신호등효전로%삼수제취
利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.
利用國際通用的ColdFET以及寬帶小信號提取方法對AlGaN/GaN HEMT器件進行小信號參數的提取,用倣真軟件ADS(advanced design system)建立HEMT小信號等效電路模型,併對參數值進行優化.可快速提取器件的小信號參數併給予工藝一些反饋和指導.
이용국제통용적ColdFET이급관대소신호제취방법대AlGaN/GaN HEMT기건진행소신호삼수적제취,용방진연건ADS(advanced design system)건립HEMT소신호등효전로모형,병대삼수치진행우화.가쾌속제취기건적소신호삼수병급여공예일사반궤화지도.
