氮化镓基雪崩光电二极管的研制
담화가기설붕광전이겁관적연제
Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2007年 z1期 954-956,960 ,共4页

    许金通%陈俊%陈杰%王玲%储开慧%张燕%李向阳%龚海梅%赵德刚

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    담화가%설붕광전이겁관%루전류
    文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选.通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试.测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3.
    문장간단회고료담화가기설붕광전이겁관적발전현상,종제작고향응솔、저루전류적설붕기건출발,상세천명료제작담화가기설붕광전이겁관적공예과정,특별고필료간법각식대래적물리손상이급후속적소제손상처리.유우설붕기건대우재료적질량구유교가각적요구,인차특별대재료진행료필요적사선.통과일계렬공예상적개진,성공지제작출국내제일지담화가기설붕광전이겁관,기건적광민면직경시40μm;병대기진행료광전성능측시.측시결과표명,당반향편압시58V시,루전류대약시1.18×10-7 A,설붕증익시3.
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