半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
9期
768-770,775
,共4页
刘兴刚%张丛春%杨春生%石金川
劉興剛%張叢春%楊春生%石金川
류흥강%장총춘%양춘생%석금천
Cu互连%空气气隙%牺牲层材料%低介电常数%电容
Cu互連%空氣氣隙%犧牲層材料%低介電常數%電容
Cu호련%공기기극%희생층재료%저개전상수%전용
为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构.用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径.
為瞭降低集成電路中的互連延遲,採取瞭一種新型的集成電路Cu互連工藝,以掩膜電鍍的方法製備Cu互連的疊層結構,藉鑒MEMS工藝的犧牲層技術,用濃燐痠對Al2O3犧牲層進行濕法刻蝕,不僅在互連金屬間介質層而且在層內介質層都形成瞭以空氣為介質的Cu互連懸空結構.用一種扠指測試結構對以空氣和聚酰亞胺為介質的互連性能進行瞭比較,結果錶明,採用空氣介質減小瞭互連線耦閤電容,為進一步降低集成電路的互連延遲提供瞭途徑.
위료강저집성전로중적호련연지,채취료일충신형적집성전로Cu호련공예,이엄막전도적방법제비Cu호련적첩층결구,차감MEMS공예적희생층기술,용농린산대Al2O3희생층진행습법각식,불부재호련금속간개질층이차재층내개질층도형성료이공기위개질적Cu호련현공결구.용일충차지측시결구대이공기화취선아알위개질적호련성능진행료비교,결과표명,채용공기개질감소료호련선우합전용,위진일보강저집성전로적호련연지제공료도경.
